ترجمه مقاله تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

ترجمه مقاله تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

ترجمه مقاله تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

دسته: برق

بازدید: 9 بار

فرمت فایل: doc

حجم فایل: 1880 کیلوبایت

تعداد صفحات فایل: 9

تکنولوژی CMOSنانو وایرسیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد پروژه کارشناسی ارشد برق فایل محتوای 1) اصل مقاله لاتین 2010 IEEE 2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی

قیمت فایل فقط 9,900 تومان

پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.

پرداخت و دانلود

تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

پروژه کارشناسی ارشد برق
فایل محتوای:
1) اصل مقاله لاتین 2010 IEEE
2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی

قیمت فایل فقط 9,900 تومان

پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.

پرداخت و دانلود

برچسب ها : ترجمه مقاله تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد , تکنولوژی CMOS , نانو وایرسیلیکون , با ولتاژ قابل تنظیم , نابسته به عامل ناخالصی , برای کاربردهای منطقی , قابل تنظیم مجدد

نظرات کاربران در مورد این کالا
تا کنون هیچ نظری درباره این کالا ثبت نگردیده است.
ارسال نظر
محصولات پر فروش

دسته بندی محصولات

بخش همکاران
بلوک کد اختصاصی